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科学研究武汉大学科技成果转化（许可、转让）现金奖励公示表
分类：院内新闻 作者： 来源： 时间：2022-08-17 访问量：
公示号：WHU现金奖励公示2022年[52]号
成果名称 |
见附件 |
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成果类型 |
发明专利 |
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申请号 |
见附件 |
转化方式 |
转让 |
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合同签署日 |
2022年6月9日 |
武汉大学登记站/技术合同登记编号 |
2022420621000325 |
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合同收入额 |
600000元 |
合同约定分几期到账 |
1期 |
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实际到账额 |
600000元 |
到账2022年6月30日 |
属于第几期 |
第 1期 |
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直接成本 （元） |
专家咨询费（元） |
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单位（开发票）缴税（元） |
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评估费（元） |
4000 |
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学校交纳的知识产权费 |
62310 |
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其他（须具体载明） |
1800（代办技术合同免税） |
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净收益（元） |
531890.00 |
奖励研发团队金额（元） |
372323.00 |
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受让单位 |
江西兆驰半导体有限公司 |
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主要完成人 |
周圣军 |
工号：00030742 |
联系电话 |
15827348861 |
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所在二级单位 |
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转化科技成果信息附表
成果名称1 |
一种Micro-LED显示芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2019109504209 |
成果名称2 |
一种氮化铝外延结构及其生长方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
202010096533X |
成果名称3 |
具有复合成核层的发光二极管芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2019110013602 |
成果名称4 |
全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2018116113741 |
成果名称5 |
基于激光直写的Micro-LED的制造方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2017108467364 |
成果名称6 |
一种半导体发光器件及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2017100930112 |
成果名称7 |
具有纳米级二氧化硅光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2018102530091 |
成果名称8 |
蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2017112437802 |
成果名称9 |
一种侧壁具有纳米棱镜结构的氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2018111629250 |
成果名称10 |
一种深紫外LED芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2019104322261 |
成果名称11 |
一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2020103973728 |
成果名称12 |
一种三基色垂直结构微型LED 芯片制造与转印方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2018106936494 |
成果名称13 |
一种激光快速制备金属纳米多孔材料的方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2019107647443 |
成果名称14 |
一种紫外发光二极管芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2016101036211 |
成果名称15 |
选区刻蚀外延Micro-LED芯片及其设计、制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
2021104393368 |
成果名称16 |
粘合层转印的薄膜倒装结构Micro-LED芯片及其制备方法 |
成果类型 |
发明专利 |
知识产权号 |
202010883941X |
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